FDT86246
Symbol Micros:
TFDT86246
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 425 mOhm; 2A; 2,2 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 425mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDT86246 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
75 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8780 | 0,5838 | 0,4834 | 0,4367 | 0,4180 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDT86246
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4864 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 425mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,2W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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