FDU7N60NZTU

Symbol Micros: TFDU7n60nztu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 1,25 Ohm; 5,5A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDU7N60NZTU RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1629 0,7706 0,6142 0,5628 0,5534
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDU7N60NZTU RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 1,1629 0,7683 0,6352 0,5815 0,5534
Standard-Verpackung:
70
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT