FDU7N60NZTU
Symbol Micros:
TFDU7n60nztu
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 1,25 Ohm; 5,5A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,25Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDU7N60NZTU RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1629 | 0,7706 | 0,6142 | 0,5628 | 0,5534 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDU7N60NZTU RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 70+ | 280+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1629 | 0,7683 | 0,6352 | 0,5815 | 0,5534 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,25Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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