FDV301N

Symbol Micros: TFDV301n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDV301N-NB9V008;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
36640 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2031 0,0965 0,0542 0,0413 0,0369
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
193 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2031 0,0965 0,0542 0,0413 0,0369
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Standard-Verpackung:
1047
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
833 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2031 0,0965 0,0542 0,0413 0,0369
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Standard-Verpackung:
1953
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
156000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0369
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
24400 stk.
Anzahl Stück 100+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0424
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3782 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0551
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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