FDV301N

Symbol Micros: TFDV301n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDV301N-NB9V008;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	220mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

36540 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2055	0,0976	0,0549	0,0418	0,0374

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

193 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2055	0,0976	0,0549	0,0418	0,0374

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

833 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2055	0,0976	0,0549	0,0418	0,0374

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

15400 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0426

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

2785 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1297

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDV301N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

6642000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0374

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	220mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1618	0,0647	0,0376	0,0313	0,0294