FDV302P

Symbol Micros: TFDV302p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 18Ohm; 120mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18Ohm
Max. Drainstrom: 120mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDV302P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
260 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2492 0,1323 0,1025 0,0945 0,0906
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 18Ohm
Max. Drainstrom: 120mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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