FDV303N

Symbol Micros: TFDV303n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 800 mOhm; 680mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 680mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDV303N RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
7152 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2200 0,1115 0,0675 0,0536 0,0489
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDV303N Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
5508000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0489
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 680mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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