FDV303N China

Symbol Micros: TFDV303n c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 2,1W
Hersteller: VBsemi
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: FDV303N RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 75+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,2632 0,1448 0,1008 0,0827 0,0752
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Standard-Verpackung:
75
Verlustleistung: 2,1W
Hersteller: VBsemi
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: MOSFET

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