FDV303N China
Symbol Micros:
TFDV303n c
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 2,1W |
| Hersteller: | VBsemi |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Verlustleistung: | 2,1W |
| Hersteller: | VBsemi |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 2A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
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