FDV303N SHIKUES

Symbol Micros: TFDV303n SHK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 80mOhm; 2A; Äquivalent: FDV303N Onsemi;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SK303N RoHS .303 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1941 0,0923 0,0518 0,0392 0,0353
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD

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