FDY101PZ

Symbol Micros: TFDY101pz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 20 Ohm; 150mA; 625 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDY101PZ RoHS Gehäuse: SOT523  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3112 0,1657 0,1285 0,1184 0,1135
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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