FDY2000PZ

Symbol Micros: TFDY2000pz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 6-Pin SOT-563F T/R

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,7Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDY2000PZ RoHS Gehäuse: SOT666  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2618 0,1389 0,1075 0,0994 0,0952
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,7Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT666
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD

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