FDY300NZ

Symbol Micros: TFDY300nz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 1,25 Ohm; 600mA; 625 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDY300NZ RoHS Gehäuse: SOT523  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3199 0,1698 0,1315 0,1214 0,1163
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole