FDY301NZ

Symbol Micros: TFDY301nz

Gehäuse: SOT523

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 10 Ohm; 200mA; 625 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	625mW
Gehäuse:	SOT523
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	625mW
Gehäuse:	SOT523
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD