FGA60N60UFDTU

Symbol Micros: TFGA60N60ufdtu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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IGBT 600V 120A 298W

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Parameter
Gate-Ladung: 188nC
Maximale Verlustleistung: 298W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO-3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N60UFDTU RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 6,6780 5,6686 5,0494 4,7340 4,5424
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Standard-Verpackung:
10
Gate-Ladung: 188nC
Maximale Verlustleistung: 298W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO-3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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