FGA60N60UFDTU
Symbol Micros:
TFGA60N60ufdtu
Gehäuse: TO 3P
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 188nC |
| Maximale Verlustleistung: | 298W |
| Max. Kollektor-Strom: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO-3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGA60N60UFDTU RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
2 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 6,4276 | 5,9192 | 5,6086 | 5,4522 | 5,3555 |
| Gate-Ladung: | 188nC |
| Maximale Verlustleistung: | 298W |
| Max. Kollektor-Strom: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO-3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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