FGA60N65SMD

Symbol Micros: TFGA60N65smd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-07
Anzahl Stück: 150
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT