FGA60N65SMD

Symbol Micros: TFGA60N65smd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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IGBT 650V 120A 600W
Parameter
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD RoHS Gehäuse: TO 3P  
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23 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 5,4671 5,0348 4,7674 4,6326 4,5559
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Standard-Verpackung:
30/150
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-07-12
Anzahl Stück: 60
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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