FGA60N65SMD
Symbol Micros:
TFGA60N65smd
Gehäuse:
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 284nC |
| Maximale Verlustleistung: | 600W |
| Max. Kollektor-Strom: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
23 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 180+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,3272 | 3,7176 | 3,4392 | 3,3840 | 3,3288 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
60 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,5090 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
843 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,5090 |
| Gate-Ladung: | 284nC |
| Maximale Verlustleistung: | 600W |
| Max. Kollektor-Strom: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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