FGA60N65SMD

Symbol Micros: TFGA60N65smd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGA60N65SMD RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 180+
Nettopreis (EUR) 4,4184 3,7959 3,5117 3,4553 3,3989
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30/60
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-07
Anzahl Stück: 150
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole