FGD3245G2-F085C
Symbol Micros:
TFGD3245G2-F085C
Gehäuse: DPAK-3
IGBT Modules 320 mJ, 450 V, N−Channel Ignition IGBT; 23A; 150W; 120Ohm; -55°C~175°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 23nC |
| Maximale Verlustleistung: | 150W |
| Max. Kollektor-Strom: | 23A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 1,3V ~ 2,2V |
| Gehäuse: | DPAK-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 480V |
| Gate-Ladung: | 23nC |
| Maximale Verlustleistung: | 150W |
| Max. Kollektor-Strom: | 23A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 1,3V ~ 2,2V |
| Gehäuse: | DPAK-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 480V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 14V |
| Montage: | SMD |