FGH20N60SFDTU TO-247AB-3
Symbol Micros:
TFGH20N60sfdtu
Gehäuse: TO247
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;
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Parameter
Gate-Ladung: | 65nC |
Maximale Verlustleistung: | 165W |
Max. Kollektor-Strom: | 40A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH20N60SFDTU RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
72 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
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Nettopreis (EUR) | 3,6007 | 3,0283 | 2,6848 | 2,5119 | 2,4161 |
Gate-Ladung: | 65nC |
Maximale Verlustleistung: | 165W |
Max. Kollektor-Strom: | 40A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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