FGH20N60SFDTU TO-247AB-3

Symbol Micros: TFGH20N60sfdtu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;

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Parameter
Gate-Ladung: 65nC
Maximale Verlustleistung: 165W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH20N60SFDTU RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
72 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,6007 3,0283 2,6848 2,5119 2,4161
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 65nC
Maximale Verlustleistung: 165W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT