FGH40N60SFDTU
Symbol Micros:
TFGH40N60sfdtu
Gehäuse: TO247
IGBT 600V 80A 290W
Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 290W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-08-30
Anzahl Stück: 90
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 290W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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