FGH40N60SFDTU
Symbol Micros:
TFGH40N60sfdtu
Gehäuse:
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 290W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SFDTU RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
60 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 90+ | 180+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,9269 | 3,3748 | 3,1195 | 3,0481 | 3,0205 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SFDTU
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
360 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0205 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH40N60SFDTU
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0205 |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 290W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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