FGH40N60SMDF

Symbol Micros: TFGH40N60smdf

Gehäuse: TO247

Trans IGBT Chip N-CH; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH40N60SMDF-F085 FGH40N60SMDF_F085;

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Parameter

Gate-Ladung:	119nC
Maximale Verlustleistung:	349W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Gate-Ladung:	119nC
Maximale Verlustleistung:	349W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT