FGH40N65UFDTU
Symbol Micros:
TFGH40N65ufdtu
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 290W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 290W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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