FGH40T120SMD TO-247-3L

Symbol Micros: TFGH40T120smd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 370nC
Maximale Verlustleistung: 555W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,9V ~ 7,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 7,8005 7,3262 7,0280 6,8730 6,7838
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
360 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 6,7838
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
3772 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 6,7838
Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 370nC
Maximale Verlustleistung: 555W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,9V ~ 7,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 25V
Montage: THT