FGH40T120SMD TO-247-3L
Symbol Micros:
TFGH40T120smd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 370nC |
Maximale Verlustleistung: | 555W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,9V ~ 7,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 7,8005 | 7,3262 | 7,0280 | 6,8730 | 6,7838 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
360 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 6,7838 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH40T120SMD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3772 stk.
Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 6,7838 |
Gate-Ladung: | 370nC |
Maximale Verlustleistung: | 555W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,9V ~ 7,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 25V |
Montage: | THT |
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