FGH40T65SPD_F155

Symbol Micros: TFGH40T65spd

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 267W; 4,0~7,5V; 35nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH40T65SPD-F085 AUTOMOTIVE; FGH40T65SPD-F155;

Parameter

Gate-Ladung:	35nC
Maximale Verlustleistung:	267W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 7,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Gate-Ladung:	35nC
Maximale Verlustleistung:	267W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 7,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	650V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT