FGH60N60SMD
Symbol Micros:
TFGH60N60smd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
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Parameter
Gate-Ladung: | 284nC |
Maximale Verlustleistung: | 600W |
Max. Kollektor-Strom: | 120A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH60N60SMD RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
22 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 5,4913 | 5,0565 | 4,7896 | 4,6539 | 4,5757 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH60N60SMD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,5757 |
Gate-Ladung: | 284nC |
Maximale Verlustleistung: | 600W |
Max. Kollektor-Strom: | 120A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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