FGH60N60SMD
Symbol Micros:
TFGH60N60smd
Gehäuse: TO247
IGBT 600V 120A 600
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Gate-Ladung: | 284nC |
| Maximale Verlustleistung: | 600W |
| Max. Kollektor-Strom: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH60N60SMD RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
28 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,5775 | 5,1359 | 4,8648 | 4,7270 | 4,6475 |
| Gate-Ladung: | 284nC |
| Maximale Verlustleistung: | 600W |
| Max. Kollektor-Strom: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 180A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole