FGH60N60SMD

Symbol Micros: TFGH60N60smd

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);

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Parameter

Gate-Ladung:	284nC
Maximale Verlustleistung:	600W
Max. Kollektor-Strom:	120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH60N60SMD RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

22 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,6050	5,1612	4,8888	4,7503	4,6704

Gate-Ladung:	284nC
Maximale Verlustleistung:	600W
Max. Kollektor-Strom:	120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT