FGH60N60SMD

Symbol Micros: TFGH60N60smd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Äquivalent: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
Parameter
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH60N60SMD RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
13 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 4,3318 3,8484 3,5588 3,4141 3,3323
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Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 284nC
Maximale Verlustleistung: 600W
Max. Kollektor-Strom: 120A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 180A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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