FGH75T65UPD TO247AB
Symbol Micros:
TFGH75T65upd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Ähnlich zu: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
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Parameter
Gate-Ladung: | 578nC |
Maximale Verlustleistung: | 375W |
Max. Kollektor-Strom: | 150A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 225A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 7,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
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Nettopreis (EUR) | 5,3533 | 4,9281 | 4,6674 | 4,5358 | 4,4607 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
420 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 4,4607 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2250 stk.
Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,4607 |
Gate-Ladung: | 578nC |
Maximale Verlustleistung: | 375W |
Max. Kollektor-Strom: | 150A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 225A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 7,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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