FGH75T65UPD TO247AB

Symbol Micros: TFGH75T65upd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Ähnlich zu: FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;

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Parameter
Gate-Ladung: 578nC
Maximale Verlustleistung: 375W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 7,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 5,3533 4,9281 4,6674 4,5358 4,4607
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
420 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,4607
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FGH75T65UPD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
2250 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,4607
Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 578nC
Maximale Verlustleistung: 375W
Max. Kollektor-Strom: 150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 7,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT