FGL40N120ANDTU

Symbol Micros: TFGL40N120andtu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO264
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 64A; 160A; 500W; 3,5~7,5V; 330nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 330nC
Maximale Verlustleistung: 500W
Max. Kollektor-Strom: 64A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 7,5V
Gehäuse: TO264
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 330nC
Maximale Verlustleistung: 500W
Max. Kollektor-Strom: 64A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 7,5V
Gehäuse: TO264
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 25V
Montage: THT