FGL60N100BNTD
Symbol Micros:
TFGL60N100bntd
Gehäuse: TO264
Trans IGBT ; 1000V; 25V; 42A; 200A; 180W; 4,0~7,0V; 275nC; -55°C~150°C; Äquivalent: FGL60N100BNTDTU; FGL60N100BNTDFS;
Parameter
| Gate-Ladung: | 275nC |
| Maximale Verlustleistung: | 180W |
| Max. Kollektor-Strom: | 42A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO264 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gate-Ladung: | 275nC |
| Maximale Verlustleistung: | 180W |
| Max. Kollektor-Strom: | 42A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 7,0V |
| Gehäuse: | TO264 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1000V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 25V |
| Montage: | THT |
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