FQA24N60 Fairchild

Symbol Micros: TFQA24n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 240 mOhm; 23,5A; 310 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 23,5A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO 3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQA24N60 RoHS Gehäuse: TO 3  
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 4,5046 4,0025 3,7013 3,5495 3,4654
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQA24N60 Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
420 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,3549
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQA24N60 Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
330 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,5671
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 23,5A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO 3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT