FQA6N90C Fairchild
Symbol Micros:
TFQA6n90c
Gehäuse: TO 3P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2,3 Ohm; 6,4A; 198W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQA6N90C_F109;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 198W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 198W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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