FQA70N10 Fairchild
Symbol Micros:
TFQA70n10
Gehäuse: TO 3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 23mOhm; 70A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
Max. Drainstrom: | 70A |
Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
Gehäuse: | TO 3 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQA70N10 RoHS
Gehäuse: TO 3
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,9789 | 1,4673 | 1,2523 | 1,1799 | 1,1635 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQA70N10
Gehäuse: TO 3
Externes Lager:
330 stk.
Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3974 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQA70N10
Gehäuse: TO 3
Externes Lager:
750 stk.
Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4313 |
Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
Max. Drainstrom: | 70A |
Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
Gehäuse: | TO 3 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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