FQA70N10 Fairchild

Symbol Micros: TFQA70n10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 23mOhm; 70A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO 3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQA70N10 RoHS Gehäuse: TO 3  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9789 1,4673 1,2523 1,1799 1,1635
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQA70N10 Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
330 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3974
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQA70N10 Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
750 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4313
Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO 3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT