FQB19N20LTM

Symbol Micros: TFQB19n20ltm

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET 21A 200V 140W 0.14Ω

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	21A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	21A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD