FQB27P06TM

Symbol Micros: TFQB27p06tm

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	70mOhm
Max. Drainstrom:	27A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	70mOhm
Max. Drainstrom:	27A
Maximaler Leistungsverlust:	120W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD