FQB27P06TM
Symbol Micros:
TFQB27p06tm
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole