FQB34N20LTM

Symbol Micros: TFQB34n20ltm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQB34N20LTM RoHS Gehäuse: TO263t/r  
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20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6800 1,2454 1,0888 1,0117 0,9884
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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