FQB34N20LTM
Symbol Micros:
TFQB34n20ltm
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
Max. Drainstrom: | 31A |
Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQB34N20LTM RoHS
Gehäuse: TO263t/r
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6800 | 1,2454 | 1,0888 | 1,0117 | 0,9884 |
Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
Max. Drainstrom: | 31A |
Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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