FQB34P10TM

Symbol Micros: TFQB34p10tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FQB34P10TM-F085; FQB34P10TM_F085;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 33,5A
Maximaler Leistungsverlust: 155W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQB34P10TM RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,1454 2,4570 2,1965 2,0603 2,0292
Standard-Verpackung:
20
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQB34P10TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0292
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQB34P10TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0292
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 33,5A
Maximaler Leistungsverlust: 155W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD