FQB34P10TM

Symbol Micros: TFQB34p10tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 25V; 60mOhm; 33,5A; 155W; -55°C ~ 175°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 33,5A
Maximaler Leistungsverlust: 155W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQB34P10TM RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,0767 2,4034 2,1486 2,0153 1,9849
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 33,5A
Maximaler Leistungsverlust: 155W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole