FQB44N10TM
Symbol Micros:
TFQB44n10tm
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 39mOhm; 43,5A; 146W; -55°C ~ 175°C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 39mOhm |
Max. Drainstrom: | 43,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 146W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQB44N10TM RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,6740 | 1,2414 | 1,0848 | 1,0076 | 0,9843 |
Widerstand im offenen Kanal: | 39mOhm |
Max. Drainstrom: | 43,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 146W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Montage: | SMD |
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