FQB5N90TM

Symbol Micros: TFQB5n90tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET 5.4A 900V 158W 2.3Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 158W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQB5N90TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
10400 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4753
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 158W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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