FQB6N80TM

Symbol Micros: TFQB6n80tm
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,95 Ohm; 5,8A; 158W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,95Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 158W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQB6N80TM RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
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10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5938 1,2165 1,0079 0,8836 0,8391
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 1,95Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 158W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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