FQB6N80TM

Symbol Micros: TFQB6n80tm

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,95 Ohm; 5,8A; 158W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,95Ohm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	158W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	1,95Ohm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	158W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD