FQD10N20CTM Fairchild

Symbol Micros: TFQD10n20ctm

Gehäuse: DPAK

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 360 mOhm; 7,8A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; OBSOLETE; FQD10N20CTM-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	360mOhm
Max. Drainstrom:	7,8A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD10N20CTM RoHS Gehäuse: DPAK t/r

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100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1900	0,7918	0,6559	0,5903	0,5669

Widerstand im offenen Kanal:	360mOhm
Max. Drainstrom:	7,8A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD