FQD10N20CTM Fairchild

Symbol Micros: TFQD10n20ctm
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Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 360 mOhm; 7,8A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; OBSOLETE; FQD10N20CTM-VB;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 7,8A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD10N20CTM RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
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100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1907 0,7922 0,6563 0,5906 0,5672
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 7,8A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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