FQD11P06TM

Symbol Micros: TFQD11p06tm
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 185 mOhm; 9,4A; 38W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: TPFQD11P06TM, FQD11P06TM-VB;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: TPFQD11P06TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
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500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,8625 0,5734 0,4732 0,4266 0,4103
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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