FQD11P06TM

Symbol Micros: TFQD11p06tm
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: TPFQD11P06TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
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500 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8645 0,5748 0,4743 0,4276 0,4112
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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