FQD11P06TM

Symbol Micros: TFQD11p06tm

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 185 mOhm; 9,4A; 38W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: TPFQD11P06TM, FQD11P06TM-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	185mOhm
Max. Drainstrom:	9,4A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: TPFQD11P06TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9089	0,6028	0,5000	0,4509	0,4322

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD11P06TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4327

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQD11P06TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4442

Widerstand im offenen Kanal:	185mOhm
Max. Drainstrom:	9,4A
Maximaler Leistungsverlust:	38W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD