FQD12N20LTM
Symbol Micros:
TFQD12n20ltm
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 320 mOhm; 9A; 55W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQD12N20LTM-F085; FQD12N20LTM_F085;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 320mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 55W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD12N20LTM RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9761 | 0,7169 | 0,5745 | 0,4927 | 0,4647 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD12N20LTM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4647 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FQD12N20LTM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
165000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4647 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 320mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 55W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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