FQD13N06LTM
Symbol Micros:
TFQD13n06ltm
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Logic N-MOSFET 11A 60V 28W 0.115Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 115mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 28W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD13N06LTM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
7500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2533 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD13N06LTM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
32500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2594 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 115mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 28W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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