FQD17P06TM
Symbol Micros:
TFQD17p06tm
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 135 mOhm; 12A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD17P06TM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
42500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3516 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQD17P06TM
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
20000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4092 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole