FQD1N60CTM

Symbol Micros: TFQD1n60ctm
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 3,4 Ohm; 1A; 28W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,4Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 28W
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQD1N60CTM RoHS Gehäuse: TO252/3 (DPAK)  
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85 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5565 0,3095 0,2447 0,2298 0,2226
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 3,4Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 28W
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD