FQD1N80TM

Name: TFQD1n80tm TFQD1n80tm
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFQD1n80tm
Price: 0.3850 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFQD1n80tm

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 20 Ohm; 1A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQD1N80TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5701	0,3575	0,2967	0,2640	0,2477

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD1N80TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2885

Widerstand im offenen Kanal:	20Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD