FQD2N80TM

Symbol Micros: TFQD2n80tm
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 6,3 Ohm; 1,8A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,3Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FQD2N80TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5911 0,3715 0,3084 0,2734 0,2570
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 6,3Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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