FQD5P20TM

Symbol Micros: TFQD5p20tm

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 1,4 Ohm; 3,7A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,4Ohm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD5P20TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3294

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD5P20TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3401

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD5P20TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3216

Widerstand im offenen Kanal:	1,4Ohm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD