FQD8P10TM

Name: TFQD8p10tm TFQD8p10tm
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFQD8p10tm
Price: 0.3210 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFQD8p10tm

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 530 mOhm; 6,6A; 44W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQD8P10TM-F085; FQD8P10TM_F085;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	530mOhm
Max. Drainstrom:	6,6A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD8P10TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

32 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7394	0,4636	0,3852	0,3424	0,3210

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD8P10TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

7500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3210

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD8P10TM Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

17500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3210

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQD8P10TM-F085 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

17500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5405

Widerstand im offenen Kanal:	530mOhm
Max. Drainstrom:	6,6A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD