FQP13N50

Symbol Micros: TFQP13n50
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Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 430 mOhm; 12,5A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 430mOhm
Max. Drainstrom: 12,5A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP13N50 RoHS Gehäuse: TO220AB  
Auf Lager:
47 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,6084 2,0036 1,7024 1,6650 1,6300
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 430mOhm
Max. Drainstrom: 12,5A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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