FQP17P06
Symbol Micros:
TFQP17p06
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 120 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP17P06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8894 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP17P06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8242 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP17P06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1869 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8447 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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