FQP27P06
Symbol Micros:
TFQP27p06
Gehäuse: TO220
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP27P06 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
48 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,8886 | 2,2558 | 1,9335 | 1,8915 | 1,8635 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP27P06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
950 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8635 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FQP27P06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1440 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8635 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 70mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 120W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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