FQP2N60C

Symbol Micros: TFQP2n60c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP2N60C RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9019 0,5678 0,4440 0,4183 0,3926
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 4,7Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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