FQP30N06L

Symbol Micros: TFQP30n06l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45mOhm; 32A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP30N06L RoHS Gehäuse: TO220AB  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0915 0,7269 0,5601 0,5410 0,5195
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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