FQP32N20C

Symbol Micros: TFQP32n20c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT