FQP32N20C

Symbol Micros: TFQP32n20c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 82mOhm; 28A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP32N20C Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
900 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8082
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FQP32N20C Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
930 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0379
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 82mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT